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庆典上表演了《我爱你中国》《在那桃花盛开的地方》等歌曲,并在全体华侨华人《歌唱祖国》的歌声中落下帷幕。

中国驻悉尼总领事顾小杰在活动上致辞说,中华人民共和国成立70年来,中国的经济发展和社会进步取得了举世瞩目的成就,国际地位和影响力显著提升。顾小杰表示,中澳关系健康稳定发展,符合两国人民根本利益。中澳地方合作是中澳关系的重要内容,中国与新南威尔士州在经贸、文化等各领域的合作均取得了显著成就。长期以来,广大新州华侨华人为促进澳大利亚经济社会发展、促进中澳友谊、支持祖(籍)国建设做出了积极贡献。

第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

当晚,悉尼市政厅华灯璀璨、鲜花锦簇,洋溢着喜庆祥和的气氛。庆典在中国传统舞龙舞狮表演和歌舞《我和我的祖国》后拉开帷幕。

第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

华为瞄准第三代半导体材料 这些上市公司已率先布局

澳洲和平统一促进会会长李国兴说,今年是新中国成立70周年,同时是澳中建交47周年。如今的中国已经发展成一个开放、自信的经济强国,对澳大利亚在各领域的重要性也在与日俱增。他希望澳中两国求同存异,实现合作共赢,这既对澳中两国和两国人民的福祉有益,也对本地区的和平和繁荣有益。

自半导体诞生以来,半导体材料便不断升级。第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料,其在集成电路、电脑、手机、航空航天、各类军事工程等领域中都得到了极为广泛的应用。

在应用方面,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域,每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

华为通过哈勃投资入股山东天岳,或许表明其对于第三代半导体材料前景的认可。资料显示,哈勃科技投资有限公司注册资本为7亿元人民币,由华为投资控股有限公司100%控股。

新州州长代表、新州技能和高等教育部长李杰夫在庆典上说,他曾在35年前首次到访中国,并见证了中国取得的经济奇迹。他表示,澳大利亚与中国的历史渊源可以追溯到200年前,华侨华人为澳中交流搭建了桥梁,也为当地社区建设和经济发展做出贡献。

碳化硅电力电子器件市场在2016年正式形成,根据Yole预测,碳化硅市场规模在2021年将上涨到5.5亿美元,年复合增长率可达到19%。由于我国具有广阔的应用市场,届时国产功率半导体市场也将实现大规模的增长。

新华社悉尼8月26日电(记者杨敬忠 郭阳)由澳洲中国和平统一促进会主办的新中国70周年华诞暨澳中友好之夜庆典25日晚在悉尼市政厅举行,新南威尔士州侨领及侨界代表、新州政府代表共400余人出席。

新中国70周年华诞暨澳中友好之夜庆典在悉尼举行

目前,许多国家将第三代半导体材料列入国家计划。美国、欧盟均建立了相应的中心及联盟, 致力于研发第三代功率半导体功率器件。

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