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7月7日,日本共同社曾报道了该资料集中最关键一篇《晋东作战战斗详报》相关资料的公布,日本30多家地方媒体进行了转载。

明治学院大学国际和平研究所研究员石田隆至指出,上世纪90年代后半期,日本国内出现了一股强烈的美化侵略战争的历史修正主义倾向。尽管早已发现了制造毒气、使用毒气的命令的历史资料,但一些日本右翼以没发现相关使用毒气的历史资料为由,试图全盘否认侵略战争历史。此次松野诚也发现的一手资料是侵华日军所写的作战报告,粉碎了日本右翼势力美化日本侵略战争诡辩,是日本“制造毒气弹—下达毒气弹使用命令—战场使用—被害”这一完整链条中最关键的一环。

新华社东京8月26日电(记者郭丹)一本收录了由侵华日军记录的在中国多地实施毒气战作战报告的资料集《迫击第五大队毒气战相关资料》26日由日本不二出版社在东京出版发行。

第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

我国政府主管部门高度重视第三代半导体材料及相关技术的研究与开发。从2004年开始对第三代半导体技术领域的研究进行了部署,启动了一系列重大研究项目。2013年科技部在“863”计划新材料技术领域项目征集指南中,明确将第三代半导体材料及其应用列为重要内容。2015年和2016年国家科技重大专项02专项也对第三代半导体功率器件的研制和应用进行立项。

松野诚也在资料集中说:“有关日军毒气部队第五迫击大队在中国进行毒气战的史实在80年后的今天终于弄清楚了,但这并不是日军毒气战的整体全貌,我们了解到的只是冰山一角,还有许多历史史实有待更深入的挖掘。”

碳化硅电力电子器件市场在2016年正式形成,根据Yole预测,碳化硅市场规模在2021年将上涨到5.5亿美元,年复合增长率可达到19%。由于我国具有广阔的应用市场,届时国产功率半导体市场也将实现大规模的增长。

华为通过哈勃投资入股山东天岳,或许表明其对于第三代半导体材料前景的认可。资料显示,哈勃科技投资有限公司注册资本为7亿元人民币,由华为投资控股有限公司100%控股。

该资料集不仅包含了中日史学界发现的第一份由侵华日军毒气部队——迫击第五大队自己记录的在中国多地使用毒气弹进行作战的一手作战报告的影印版,还包含了下达使用糜烂性毒气命令的军事公文、日军进行毒气战的各个作战经过绘图以及日本史学家松野诚也对相关资料进行的解读、论证等。

目前,许多国家将第三代半导体材料列入国家计划。美国、欧盟均建立了相应的中心及联盟, 致力于研发第三代功率半导体功率器件。

侵华日军在华实施毒气战相关资料在日出版

自半导体诞生以来,半导体材料便不断升级。第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料,其在集成电路、电脑、手机、航空航天、各类军事工程等领域中都得到了极为广泛的应用。

这本资料集的编纂者、也是这批珍贵历史资料的发现者松野诚也长期从事日本近现代史、军事史研究,对日本侵华战争、特别是日军生化武器兵器、生化武器战有着深厚的研究,曾出版多本相关书籍。

第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

日本明治大学文学部教授山田朗评价该资料集时说,这是展现日军在毒气战中使用糜烂性毒气的决定性史实资料,对推动整个日军侵华战争历史的研究都极为珍贵、重要。

在应用方面,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域,每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

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